Tausendmal schneller als Flash: Intel und Micron präsentieren neue Speichertechnik

3D XPoint soll NAND-Flash und auch DDR-RAM ersetzen. Es ist laut Intel und Micron die erste neue Speicherkategorie seit 1989. Erste Produkte mit der Technik, die ganz ohne Transistoren auskommt, sollen 2016 in den Handel kommen.

Intel und Micron habe eine neue Speichertechnik namens 3D XPoint vorgestellt. Dabei handelt es sich um einen nichtflüchtigen Speicher, der tausendmal schneller sein soll als die heute für die meisten Speicherkarten wie auch Solid State Drives verwendete NAND-Technik. Eine Besonderheit ist, dass 3D XPoint ohne Transistoren auskommt.

Die neue Technik soll aber nicht nur schneller, sondern auch tausendmal haltbarer sein als heutige NAND-Lösungen. Intel und Micron versprechen zudem eine bis zu zehnmal höhere Dichte als bei DRAM. 3D XPoint kann auch als Hauptspeicher (RAM) für Computer eingesetzt werden. „Die 3D XPoint Technologie stellt einen wichtigen Durchbruch in der Speicherfertigung dar und bildet die erste neue Speicherkategorie seit der Einführung von NAND-Flash im Jahr 1989“, teilen Intel und Micron mit.

3D-XPoint-Die (Bild: Intel)Während NAND-Flash Bits durch unterschiedliche Spannungsniveaus in einer Zelle speichert, basiert 3D XPoint auf der Veränderung des Widerstands. Die Speicherzellen werden zudem in mehreren Lagen in einer 3D-Struktur angeordnet. Die ersten 3D-Xpoint-Speicher haben eine Kapazität von 128 GBit pro Die, die in zwei Speicherschichten abgelegt werden. „Zukünftige Generationen der 3D XPoint Technologie werden mehr Speicherschichten umfassen und in Ergänzung zu einem verbesserten lithografischen Verfahren die Kapazität des Systems weiter erhöhen“, heißt es in einer Pressemitteilung.

Laut Intel Vice President Rob Crooke wird 3D XPoint anfänglich über PCI Express (PCIe) an einen Computer angebunden, da dies derzeit die schnellste verfügbare Schnittstelle sei. Allerdings sei PCIe nicht in der Lage, das Potenzial der neuen Technik vollständig auszureizen. Es werde also eine neue Technik benötigt, die wiederum möglicherweise eine vollständig neue Mainboard-Architektur erfordere.

Beide Firmen haben bereits mit der Fertigung von 3D-Xpoint-Speicher begonnen. Ausgewählte Kunden sollen noch dieses Jahr erste Muster erhalten. Intel und Micron arbeiten zudem an den ersten auf der neuen Technologie basierenden Produkten. Sie sollen irgendwann im kommenden Jahr verfügbar sein.

[mit Material von Rachel King, ZDNet.com, und Dong Ngo, News.com]

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4 Kommentare zu Tausendmal schneller als Flash: Intel und Micron präsentieren neue Speichertechnik

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  • Am 29. Juli 2015 um 13:31 von thomasulmers

    hallo!

    das ist der weg einen kompletten computer auf einen chip zu bringen.

  • Am 29. Juli 2015 um 15:05 von Hardcoded

    Die Pressemitteilung ist verwirrend geschrieben. Deshalb ein paar Klarstellungen:
    „Intel und Micron versprechen zudem eine bis zu zehnmal höhere Dichte“
    als DRAM, siehe Fußnote 2

    Und die 128 GB stehen für Giga-Bit, nicht Giga-Byte. Das kann man an dem Satz erkennen:
    „128 Milliarden dicht gepackte Speicherzellen, von denen jede Zelle ein einzelnes Daten-Bit speichert“

    Trotzdem sieht die Technologie vielversprechend aus.

    • Am 29. Juli 2015 um 15:12 von Florian Kalenda

      Beides sehr gute Hinweise; danke. Meldung wurde angepasst.

  • Am 29. Juli 2015 um 15:21 von Rüdiger Müller

    Wird der Weg für eine speicherbasierte Computerprogrammierung ohne „Stack“ frei?
    Wenn der schnellste Speicher auch der langsamste ist, kann man auch den nächsten Programmspeicher nutzen, ohne den schnelleren Systemspeicher zu fürchten? :-)

    rm1911meesdorfrangers
    http://www.forsvaret.de

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