Neuer DRAM-Chip von Samsung ermöglicht Smartphones mit 4 GByte

Samsung hat ein neues DRAM-Modul für Smartphones und Tablets mit einer Kapazität von bis zu 4 GByte vorgestellt. Die Basis hierfür liefern 8-Gigabit-Low-Power-Chips (LPDDR4), die in 20-Nanometer-Technik gefertigt werden. Vier davon fasst Samsung auf ein einziges Modul zusammen.

LPDDR4 steht für „Low Power Double Data Rate 4“. Samsung zufolge ist es der erste solche Chip mit 8-GBit/s-Interface und 3200 MBit/s pro Pin.

Die letzte Generation, also Samsungs ebenfalls in 20 Nanometer gefertigte LPDDR3-DRAM-Module, bot maximal zwei Drittel der Speicherkapazität auf der gleichen Fläche und die halbe Leistung. Bei einer Spannung von nur noch 1,1 Volt liegt auch der Stromverbrauch laut Samsung um 40 Prozent unter dem des Vorgängers.

Noch in diesem Jahr soll der Speicher an Samsung-Kunden gehen und auch auf eigenen Geräten des koreanischen Herstellers zum Einsatz kommen. Profitieren könnten insbesondere Tablet-, Notebook- und Smartphone-Modelle mit großem beziehungsweise hochauflösendem Bildschirm, etwa UHD-Auflösung. Aktuell enthalten Smartphones der Oberklasse zumeist 2 GByte Speicher. Samsungs Phablet Galaxy Note kommt mit 3 GByte.

Auf der CES nächste Woche wird Samsung zudem voraussichtlich die nächste Generation seiner Mobilprozessorreihe Exynos vorstellen. Das hat es in einem Tweet angedeutet. Die chinesische Site mydrivers.com spricht von zwei neuen Modellen, die Exynos 6 und Exynos S heißen werden.

Der Exynos kombiniere acht Kerne für eine heterogene Multiprozessor-Architektur, heißt es dort. Er soll im Smartphone Galaxy S5 zum Einsatz komen. Der Exynos S werde hingegen Samsungs erster 64-Bit-Prozessor und eineinhalbmal so schnell wie Qualcomms Snapdragon 800 sein und das Phablet Note 4 antreiben. Dass diese Geräte auch schon Teil von Samsungs Pressekonferenz auf der CES sein werden, gilt als eher unwahrscheinlich.

[mit Material von Manfred Kohlen, ITespresso.de, und Matthew Broersma, TechWeekEurope.co.uk]

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