Japanisch-amerikanisches Konsortium forscht an DRAM-Nachfolger MRAM

Zu den insgesamt 20 Mitgliedern zählen Renesas Electronics, Hitachi und Micron Technology. Zusammen wollen sie bis 2017 ein Produktionsverfahren für MRAM-Speicher entwickeln. Micron will schon 2018 die Massenfertigung aufnehmen.

Mehr als 20 japanische und amerikanische Chipfirmen wollen gemeinsam Techniken für die Massenproduktion des DRAM-Nachfolgers Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) entwickeln. Einem Bericht von Nikkei Asian Review zufolge sollen Verbraucher vor allem vom Einsatz von MRAM-Speicher in mobilen Geräten profitieren.

Japanisch-amerikanisches Konsortium forscht an DRAM-Nachfolger MRAMMRAM-Speicherbausteine von Toshiba (Bild: Toshiba)

Dem Konsortium gehören neben den japanischen Unternehmen Tokyo Electron, Shin-Etsu Chemical, Renesas Electronics und Hitachi auch Micron Technology an. Der US-Hersteller ist Nikkei zufolge der weltweit zweitgrößte Anbieter von Dynamic Random Access Memory (DRAM).

Die Firmen werden demnach mehrere Dutzend Forscher an die Tohoku University in Nordjapan entsenden. Dort sollen sie im Februar unter der Leitung von Professor Tetsuo Endoh die Forschungsarbeit aufnehmen. Eine Technologie für die Massenfertigung von MRAM soll bis März 2017 entwickelt sein. Micron hoffe, die Technik bis 2018 einsetzen zu können, so Nikkei weiter.

MRAM speichert Informationen im Gegensatz zu herkömmlichem DRAM mit magnetischen und nicht mit elektrischen Ladungselementen. MRAM ist nicht flüchtig, benötigt aber höhere Spannungen als DRAM, um hohe Geschwindigkeiten erzielen zu können. Nikkei zufolge kann MRAM die zehnfache Kapazität und auch die zehnfache Schreibgeschwindigkeit von DRAM erreichen.

Der Energieverbrauch liege im Vergleich zu DRAM trotzdem nur bei rund einem Drittel, heißt es in dem Bericht. Dadurch könne MRAM nicht nur die Leistung von Smartphones und Tablets verbessern, sondern auch deren Akkulaufzeigt im Standby auf mehrere Hundert Stunden erhöhen.

Toshiba hatte schon im Dezember 2012 verkündet, es arbeite an MRAM-Speicher, um den in Smartphone-Prozessoren enthaltenen SRAM-Speicher zu ersetzen. Das japanische Unternehmen will auf diese Art den Stromverbrauch mobiler CPUs um zwei Drittel senken. Nikkei zufolge beschäftigen sich auch SK Hynix, Samsung und das inzwischen zu Micron gehörende Elpida Memory mit MRAM. Zusammen kontrollierten sie 90 Prozent des DRAM-Weltmarkts.

[mit Material von Brooke Crothers, News.com]

Themenseiten: Hitachi, Micron Technology, Mobile, Renesas, Smartphone, Tablet

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