Samsung beginnt 20-Nanometer-Fertigung von LPDDR2-Speicher

Die neue Technik erlaubt die Herstellung besonders energieeffizienter Smartphones und Tablets. Zudem ist die Entwicklung noch dünnerer Geräte einfacher, da der Samsung-Speicher gut 20 Prozent schlanker als die Vorgänger-Variante ist.

Samsung startet die Produktion von besonders energieeffizienten Low-Power-DDR2-Speicher. Nach eigenen Angaben kommt dabei erstmals die 20-Nanometer-Fertigung zum Einsatz, die derzeit noch kein anderer Hersteller für die Fertigung von Speicher für mobile Geräte nutzt.

Mit den 4-Gigabit-Chips kann die Energieaufnahme von Smartphones und Tablets deutlich gesenkt werden. Durch die hohe Dichte ist es zudem möglich, noch dünnere Geräte herzustellen. Eine Konfiguration mit 2 Gigabyte ist nur 0,8 Millimeter dick. Hierfür verwendet der Hersteller ein spezielles Modul, das aus vier Bausteinen besteht. Damit ist es gut 20 Prozent dünner als ein Modul auf Basis der bisherigen 30-Nanometer-Technik.

Zusammen mit der im März eingeführten Herstellung von 8-Gigabit-DDR3-Modulen für Notebooks sieht sich Samsung bei der Herstellung von DRAM in einer führenden Position. Nach Angaben IHS iSuppli beschleunigt sich die Verbreitung von 4-GBit-Speicher in den nächsten Jahren. Von 13 Prozent der gesamten DRAM-Produktion in 2012 steigt sie im nächsten Jahr bereits auf 49 Prozent und erreicht 2014 63 Prozent.

Einer der wichtigsten Abnehmer von Speicher für mobile Geräte ist Apple. Nachdem Digitimes vorgestern davon berichtet hat, dass in zukünftigen iPhones möglicherweise Speicher von Elpida statt von Samsung zum Einsatz kommt, sank der Börsenwert des koreanischen Herstellers um 10 Milliarden Dollar. Vermutlich ist die Veröffentlichung über den Start von besonders energieeffizienten 20-Nanometer-Low-Power-DDR2-Speicher auch als Signal für den Markt zu verstehen.

Samsung beginnt 20-Nanometer-Fertigung von LPDDR2-Speicher
Samsung beginnt 20-Nanometer-Fertigung von LPDDR2-Speicher

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