Samsung baut NAND-Flash-Fabrik in China für 7 Milliarden Dollar

Samsung Electronics hat den Bau einer Fabrik für NAND-Flash-Speicherchips in China angekündigt. Das Investitionsvolumen beträgt anfänglich 2,3 Milliarden Dollar. In den kommenden Jahren sollen insgesamt 7 Milliarden Dollar in den Standort Xi’an in der chinesischen Provinz Shaanxi fließen. Das ist die größte Summe, die Samsung bisher in eine Produktionsstätte in Asien gesteckt hat.

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NAND-Flash kommt in Speicherkarten, USB-Sticks, Solid State Drives und anderen Speichermedien zum Einsatz. Es wird auch in Smartphones und Tablets verbaut. Unter anderem kauft Apple NAND-Flash für iPhone und iPad von Samsung.

Die Fabrik in Xi’an soll ab dem kommenden Jahr Speicherbausteine mit einer Strukturbreite von 10 Nanometern produzieren. Die monatliche Kapazität liegt bei maximal 100.000 12-Zoll-Wafern.

Gegenüber Bloomberg bezeichnete Samsung China als einen „Schlüsselmarkt“. Das Wirtschaftswachstum in dem Land habe in den vergangenen Jahren zu gesteigerten Einkommen geführt. Es wird erwartet, dass China in wenigen Jahren zum größten Markt für Unterhaltungselektronik aufsteigt. Gartner zufolge ist NAND-Flash zudem das am schnellsten wachsende Segment der Halbleiterbranche.

Schon im vergangenen September hatte Samsung in Südkorea eine neue Chipfabrik eröffnet. Es ist der größte Produktionsbetrieb der Branche. Das Unternehmen stellt dort neben NAND-Flash-Chips auch DRAM-Speicher her. Zudem unterhält Samsung eine Halbleiterproduktion für Speicher- und Logik-Chips in Austin im US-Bundesstaat Texas.

[mit Material von Max Smolaks, TechWeekEurope.co.uk]

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