Samsung kündigt SSD-Serie mit 250 MByte/s Leserate an

Die 2,5-Zoll-Laufwerke der Reihe 470 arbeiten mit MLC-NAND-Flash und einem 3-GBit/s-SATA-Interface. Sie bieten bis zu 256 GByte Kapazität. Der Marktstart ist für April vorgesehen. Das Spitzenmodell kostet 499 Euro.

Samsungs SSD-Reihe 470 kommt im April mit bis zu 256 GByte Kapazität (Bild: Samsung).
Samsungs SSD-Reihe 470 kommt im April mit bis zu 256 GByte Kapazität (Bild: Samsung).

Samsung will im April erste Modelle seiner Solid-State-Disk-Reihe 470 in Deutschland auf den Markt bringen. Geplant sind Versionen mit bis zu 256 GByte Kapazität, die sowohl NAND-Flash-Chips als auch Controller des Herstellers nutzen.

Die rund 68 Gramm schweren 2,5-Zoll-SSDs arbeiten mit MLC-Speicherzellen, 256 MByte DDR2-RAM und einem 3-GBit/s-SATA-Interface. Sie ermöglichen laut Samsung Lesegeschwindigkeiten von bis zu 250 MByte/s und Schreibraten von maximal 220 MByte/s.

Durch die Toggle-Mode-DDR-Struktur der NAND-Chips sollen die neuen SSDs bei geringerem Stromverbrauch die Leistung teurerer Konkurrenzprodukte mit SLC-Chips erreichen. Die Lese-Performance (Random Read) gibt Samsung mit 43.000 Eingabebefehlen pro Sekunde (IOPS) an, die Schreibleistung (Random Write) mit 11.000 IOPS.

Zum Vergleich: Eine herkömmliche Festplatte mit 15.000 U./min erreicht laut Hersteller einen Wert von 350 IOPS. Die SSDs der Reihe 470 bieten demnach eine 120-mal höhere Leseleistung und eine 30-mal höhere Schreibperformance. Auch die IOPS-pro-Watt-Rate soll deutlich besser sein.

Die neuen Samsung-SSDs kommen in einem 9,5 Millimeter dicken Gehäuse aus gebürstetem Aluminium und orangefarbenem Rahmen. Die mitgelieferte Software „SSD Magician Tool“ umfasst ein Werkzeug zur Leistungsoptimierung und DOS-basierte Firmware-Upgrades mit automatischer Benachrichtigung. Neue Funktionen liefert Samsung per kostenlosem Download nach.

Der Marktstart der SSD-470-Serie ist für April geplant. Die unverbindliche Preisempfehlung für das 256-GByte-Modell liegt bei 499 Euro.

Themenseiten: Hardware, SSD, Samsung, Storage

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