Intel und Micron erhöhen Speicherdichte von NAND-Flash

Die von Intel und Micron entwickelte Triple-Level-Cell-Technologie ermöglicht es, drei Bit in einer Speicherzelle abzulegen (Bild: Intel).

Intel und Micron haben unter der Bezeichnung Triple-Level-Cell (TLC) eine neue NAND-Flash-Technologie vorgestellt, die eine höhere Speicherdichte ermöglicht. TLC speichert drei Bit pro Zelle, im Gegensatz zu einem Bit bei Single-Level-NAND-Flash (SLC) beziehungsweise zwei Bit bei Multi-Level-NAND-Flash (MLC).

Die beiden Unternehmen präsentierten einen ersten Speicherbaustein mit einer Kapazität von 64 GBit (8 GByte) und einer Strukturbreite von 25 Nanometern. Er ist nach Herstellerangaben 20 Prozent kleiner als eine vergleichbare Komponente mit MLC-NAND-Flash. Das ermögliche es, USB-Sticks und SD-Karten mit mehr Speicherplatz zu entwickeln.

„Mit der zunehmenden Verbreitung von NAND-Speicher in Unterhaltungselektronik sehen wir in der frühzeitigen Umstellung auf TLC einen Wettbewerbsvorteil für unser Speicherportfolio“, sagte Brian Shirley, Chef von Microns NAND-Flash-Sparte. „Wir arbeiten bereits an einer Anpassung der 8-GByte-TLC-NAND-Flash-Speicherbausteine für Endprodukte, unter anderem von Lexar Media und Micron.“

Intel und Micron unterhalten mit IM Flash Technologies (IMFT) ein Joint Venture für NAND-Flash. Einer der größten Konkurrenten von IMFT ist Samsung, das im April NAND-Flash mit einer Strukturbreite von 20 Nanometer vorgestellt hatte. Allerdings basieren die Chips auf der Multi-Level-Technologie, weswegen sie eine geringere Speicherdichte erreichen.