Video: Intel-CEO zeigt ersten 22-Nanometer-Wafer mit SRAM-Speicher

Auf einer Grundfläche von der Größe eines Fingernagels sind 2,9 Milliarden Transistoren untergebracht. Die neue Fertigungstechnik soll eine höhere Performance und geringere Leckströme ermöglichen. Erste Chips erscheinen 2011.

Intel-CEO Paul Otellini hat während seiner Eröffnungsrede auf dem Intel Developer Forum 2009 (IDF) in San Francisco den ersten 22-Nanometer-Wafer mit funktionierenden SRAM-Speicherzellen präsentiert. Auf einer Grundfläche von der Größe eines Fingernagels finden 2,9 Milliarden Transistoren Platz.

Beim 22-Nanometer-Fertigungsprozess kommt die dritte Generation der High-K-Metal-Gate-Technik zum Einsatz, die für weitere Leistungssteigerungen und verringerte Leckströme sorgen soll. Darauf basierende Chips will Intel Ende 2011 auf den Markt bringen.

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Themenseiten: Hardware, Intel, Microsoft, Prozessoren, Sun Microsystems

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