Samsung stellt weltweit erste 4-GBit-DDR3-Chips vor

Maximale Kapazität eines Speichermoduls steigt damit auf 32 GByte

Samsung hat die weltweit ersten DDR3-Speicherchips mit einer Kapazität von 4 GBit vorgestellt. Unter Verwendung von Dual-Die-Gehäusen sind damit Module mit bis zu 32 GByte möglich.

Den maximalen Datendurchsatz der im 50-Nanometer-Verfahren gefertigten Bausteine gibt der Hersteller mit 1,6 GBit/s an, was einer Steigerung von 20 Prozent gegenüber herkömmlichen DDR3-Modulen entspricht. Die neuen Chips benötigen statt der üblichen 1,5 Volt lediglich 1,35 Volt. Laut Samsung verbraucht ein 16-GByte-Modul mit den neuen 4-GBit-Chips 40 Prozent weniger Strom als ein gleich großer Speicherriegel mit 2-GBit-Chips, weil bei gleicher Kapazität nur noch halb so viele Chips mit Strom versorgt werden muss.

„Durch die Entwicklung von 4-GBit-DDR3 mit einer Strukturbreite von 50 Nanometern bereiten wir den Weg für deutliche Kostensenkungen im Server- und gesamten Computer-Markt“, sagte Kevin Lee, Vizepräsident für technisches Marketing bei Samsung. Das Marktforschungsunternehmen IDC erwartet, dass sich DDR3-RAM im Laufe der nächsten drei Jahre weiter durchsetzen wird. Der Marktanteil soll 2009 auf 29 Prozent und bis 2011 auf 75 Prozent steigen.

Samsung 4GBit-DDR3-RAM
Die neuen 4-GBit-DDR3-Chips von Samsung ermöglichen Module mit bis zu 32 GByte Kapazität (Bild: Samsung).

Themenseiten: Hardware, Samsung

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2 Kommentare zu Samsung stellt weltweit erste 4-GBit-DDR3-Chips vor

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  • Am 31. Januar 2009 um 19:41 von xxx

    bit?
    4bit? Ernsthaft? wow!

    • Am 1. Februar 2009 um 7:06 von yyy

      AW: bit?
      Entweder kannst Du nicht lesen oder Du verstehst nicht worum es hier geht…

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