Samsung startet Massenprodukion des 512-MBit-Mobile-DRAMs

Neue Speicherchips in 90-nm-Technologie

Samsung Electronics hat mit der Serienfertigung eines 512-MBit-DRAMs (Dynamic Random Access Memory) für mobile Produkte begonnen. Die neuen Mobile DRAMs sind laut dem Hersteller die ersten Speicherchips, die über eine Kapazität von 512 MBit verfügen und in einer 90-nm-Technolgie hergestellt werden.

Samsungs neue Mobile DRAMs sollen im Vergleich zu konventionellen SDRAMs den Stromverbrauch um bis zu 50 Prozent reduzieren. Der 512 Mbit Mobile DRAM überträgt Daten mit einem 32-Bit-Datenbus und einer Geschwindigkeit von 1,3 GB. Dadurch lassen sich die Eigenschaften mobiler Geräte verbessern und Bilder mit hoher Auflösung verarbeiten.

Für mobile Anwendungen mit höherem Speicherbedarf bietet Samsung eine Lösung an, die zwei 512-MBit-DRAMs in einem Dual-Die-Gehäuse enthält und somit über eine Speicherkapazität von 1 GBit verfügt. Mit dieser Lösung wollen die Koreaner die kurzfristig zu erwartende Nachfrage nach zusätzlichem Speicherplatz für Mobilgeräte erfüllen.

Themenseiten: Hardware, Samsung Electronics

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