Intel fertigt SRAMs im 65 nm-Verfahren

Fortschritte bei Halbleiterherstellung der nächsten Generation

Intel hat komplett funktionsfähige 70 Megabit Static Random Access Memory (SRAM)-Zellen mit mehr als einer halben Milliarde Transistoren unter Verwendung der 65 Nanometer (nm) Halbleiterherstellung gefertigt. Die Transistoren arbeiten mit Transitorgates von 35 nm – etwa 30 Prozent kleiner als die Gate-Längen der bei Intel aktuell verwendeten 90 nm-Fertigung. Zum Vergleich: Atome sind etwa 0,1 – 0,5 nm im Durchmesser und ein Nanometer verhält sich zu einem Meter wie der Durchmesser einer Haselnuss zu dem der Erde.

Die neue Halbleiterfertigungstechnik erlaubt noch mehr Transistoren auf einen einzelnen Chip zu quetschen. Das ermöglicht Intel die weitere Integration von Halbleiterkomponenten und so in Zukunft beispielsweise Prozessoren mit mehreren Rechenkernen zu bauen und zusätzliche Funktionen in Prozessoren zu integrieren, etwa Sicherheits- und Virtualisierungsfunktionen.

„Intels 65 nm Halbleiterfertigung zeichnet sich aus durch industrieführende Packungsdichte, hohe Leistung und niedrigen Stromverbrauch. Das wird in Zukunft Chips mit verbesserten Eigenschaften und höherer Rechenleistung ermöglichen. Unsere 65 nm Technik liegt im Zeitplan für eine Einführung in 2005 und verlängert so die Gültigkeit des Moore’schen Gesetzes“, sagte Sunlin Chou, Senior Vice President und General Manager der Intel Technology und Manufacturing Group.

Im November 2003 gab Intel bekannt, dass die Firma mit Hilfe der 65 nm Prozesstechnik SRAM-Zellen mit 4 MBit hergestellt hatte. Seitdem hat Intel die Techniken verfeinert und nun SRAM Zellen mit 70 Mbit auf einer Chipfläche von nur 110 Quadratmillimetern gefertigt. Jede SRAM Zelle basiert auf sechs Transistoren auf einer Fläche von nur 0,57 µm2.

Intel hat in die 65 nm SRAM Zellen auch so genannte Sleep Transistoren integriert. Diese speziellen Transistoren schalten den Stromfluss zu größeren zusammen geschalteten SRAM-Blöcken ab, wenn diese nicht gebraucht werden. Das eleminiert einen bedeutenden Stromverbraucher auf einem Chip. Vor allem Batterie-betriebene Geräte profitieren davon.

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Neueste Kommentare 

2 Kommentare zu Intel fertigt SRAMs im 65 nm-Verfahren

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  • Am 30. August 2004 um 19:19 von Guxi

    Ferfahrene neue Rechtschreibung, gell!
    Ferfahrene neue Rechtschreibung, gell!

  • Am 30. August 2004 um 21:16 von Rainerli

    Gratulation zur Rechtschreibung
    Vehler auv der Tastatur oder ferrutscht

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