Infineon erweitert Kooperation mit Winbond

Auslagerung der 300-mm-Fertigung nach Taiwan

Infineon Technologies und Winbond Electronics haben ihre Zusammenarbeit bei der Fertigung von Standard-Speicherchips (DRAMs) ausgedehnt und vereinbart, dass Infineon seine 0,09-µm DRAM Trench-Technologie und sein 300-mm-Fertigungs Know how zu Winbond transferieren wird. Im Gegenzug übernimmt Winbond die exklusive Fertigung von DRAMs für Computeranwendungen für Infineon, die mit dieser Technologie hergestellt werden.

Der Transfer dieser Technologien von Infineon ermöglicht Winbond die Entwicklung und Vermarktung entsprechender proprietärer Spezialspeicherbausteine, für die Infineon Lizenzgebühren erhält. Darüber hinaus ist geplant, dass Infineon und Winbond gemeinsam Spezialspeicherbausteine für den Einsatz in mobilen Applikationen entwickeln. Mit diesem Schritt kann Infineon auf die 200-mm- und 300-mm-Fertigungsstätten von Winbond zurückgreifen, um seine Kapazität erheblich aufzustocken. Erste Produkte des neuen 300-mm-Werks von Winbond, das derzeit in Taichung, Taiwan, gebaut wird, werden für Ende 2005 erwartet.

Spezial-Speicherchips unterstützen besonders anspruchsvolle Anwendungen wie Graphics RAM (128, 256 MBit) und mobile Anwendungen wie PDAs, Handys und Smartphones. Mit der Zusammenarbeit will Infineon seine Position als drittgrößter Halbleiter-Hersteller im DRAM-Markt festigen. Laut Prognosen des Marktforschungsunternehmens Gartner Dataquest wird der Halbleitermarkt in Asien von ca. 4,9 Milliarden Dollar im Jahr 2003 auf rund 9,4 Milliarden US-Dollar im Jahr 2008 wachsen.

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