Samsung entwickelt 70 nm DRAM-Prozesstechnologie

Neue Prozesstechnologie setzt das chemische Dampfabscheidungsverfahren CVD ein

Samsung Electronics hat nach eigenen Angaben die erste „CVD-Aluminium-Prozesstechnologie“ der Branche entwickelt – eine neue Prozesstechnologie an der 70-Nanometer-Marke, die das chemische Dampfabscheidungsverfahrens CVD (Chemical Vapor Deposition) verwendet.

Die CVD-Aluminium-Prozesstechnologie ist eine Interconnect-Technologien im DRAM-Fertigungsprozess. Sie umfasst die Erstellung leitfähiger Schichten durch Umwandlung metallorganischen Ausgangsmaterials, einschließlich Aluminium, über chemische Reaktionen in Partikel die auf der Waferoberfläche abgeschieden werden und dann die Mehrlagenverdrahtung in Schaltungskreisen bilden.

Bisherige Verfahren zur Verdrahtung in DRAM-Schaltkreisen verwenden die physikalische Dampfabscheidung PVD (Physical Vapor Deposition). Dabei werden dünne Schichten gebildet, indem festes Material in Partikel umgewandelt wird. Die Anwendung des PVD-Verfahrens ist jedoch in Prozessen für
90-Nanometer- oder kleineren Strukturen auf Grund des sogenannten ‚Void ’-Problems schwierig. Derartige Fehlstellen verhindern eine gleichmäßige Ablagerung auf der Wafer-Oberfläche, was wiederum zu Problemen bei den Schaltungseigenschaften führt. Beim Einsatz der CVD-Aluminium-Prozesstechnologie sollen nicht nur die Probleme der physikalischen Hohlraumbildung gelöst werden, sondern auch die elektrischen Eigenschaften der Leitbahnen wesentlich verbessert.

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2 Kommentare zu Samsung entwickelt 70 nm DRAM-Prozesstechnologie

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  • Am 28. Mai 2004 um 22:00 von gast

    Samsung entwickelt 70 nm DRAM-Prozesstechnologie
    komisch das 30nm tests schon lange laufen aber wer sagt es einem
    MYx
    (anonymos@licos.com)
    ist natürlich auch falsch aber spart euch solche artikel

    • Am 31. Mai 2004 um 11:28 von Major-X

      AW: Samsung entwickelt 70 nm DRAM-Prozesstechnologie
      Ließ das und du weißt wieso es noch keine Marktfähigen 30nm Chips gibt

      Zitat

      Die Gate-Oxid Dicken liegen daher erheblich niedriger als die Strukturbreiten. Eigentlich sollten Gate-Oxid Breiten von unter 4 Atomlagen Dicke (beim 0.18 µm Prozess beträgt die Dicke etwa 25-35 Atomlagen) keine isolierende Wirkung mehr haben, doch hat man nun schon Labormuster von 30 nm Strukturbreiten mit nur 3 Atomlagen dicke Oxid Schichten erzeugt.

      Bei der Integrationsdichte ist die Vorhersage am schwierigsten : Ende der 80 er Jahre glaubte man beim Übergang der Strukturen in den Wellenbereich von UV Licht exotische Lösungen wie Röntgenstrahlen oder Elektronenstrahlen benötigen zu müssen – Doch Eximer UV Laser erlaubten es den bisherigen Prozess ohne derartige Quellen weiter betrieben zu können. Auch der 30 nm Transistor kommt noch ohne exotische Oxide als Isolation aus, obgleich man 1999 prognostizierte, das kleinere Isolationsschichten als 4 Atomlagen nicht mehr isolieren. Es gibt allerdings bis zum 30 nm Prozess noch einige Probleme zu lösen. Eximer Laser mit dieser Wellenlänge liefern noch zu wenig Licht, die ganze Produktion muss im Vakuum ablaufen, da Luft die Strahlen schluckt. Anstatt Linsen muss man mit Spiegeln das Licht bündeln – bei hohen Verlusten, wobei die Spiegel auf eine Atomlage genau geschliffen sein müssen. Masken müssen ebenfalls sehr fein sein und keine Interferenzen an den sehr feinen Kanten verursachen.

      Zitat Ende

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