Intel baut Wafer-Fabrik für zwei Milliarden Dollar um

Reduktion von Rohstoff- und Energieverbrauch in der Fertigung

Intel baut die Fab 12 in Chandler, Arizona für zwei Milliarden Dollar von einer 200 Millimeter Wafer Produktion in eine 300 Millimeter Wafer Produktion um. Das Bauprojekt soll Ende 2005 fertiggestellt sein und dann die Fertigung von Halbleiterprodukten mit 65 Nanometer Strukturen beginnen. Das hat das Unternehmen in einer Presseaussendung mitgeteilt.

Das Vorhaben stellt Intels ersten Umbau einer 200 Millimeter Fab in eine 300 Millimeter Fab dar. Durch die Flexibilität der bestehenden Architektur kann der Reinraum-Innenbau komplett und effizient geändert werden, so dass die größeren Fertigungswerkzeuge für 300 Millimeter Wafer Platz finden. Besagte Fab wird die fünfte 300 Millimeter Wafer Fab von Intel sein. Die anderen befinden sich in Hillsboro, Oregon (2 Fabs), Rio Rancho, New Mexico und Leixlip, Irland.

Die Umwandlung verbessert die Effizienz des Kapitaleinsatzes, da bei deutlich geringeren Kosten mehr als die doppelte Fertigungskapazität erreicht werden kann. Fünf 300 Millimeter Wafer Fertigungsstätten haben eine Kapazität, die in etwa der von zehn 200 Millimeter Wafer Fabs entspricht. Wafer mit 300 Millimeter Durchmesser vergrößern die nutzbare Oberfläche gegenüber Wafern mit 200 Millimeter Durchmesser um 225%. Dadurch können wesentlich mehr einzelne Computer-Chips pro Wafer bei deutlich geringeren Kosten pro Chip produziert werden. Die größeren Wafer reduzieren den Verbrauch von Rohstoffen und Energie: Bei der 300 Millimeter Wafer Produktion wird pro Chip 40 Prozent weniger Wasser und Strom eingesetzt.

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