Infineon bemustert die weltweit kleinsten 1-GBit-DDR-SDRAMs

110-nm-Technologie und Dual-Die-Stack-Gehäuse ermöglichen Miniaturisierung

Infineon Technologies hat die ersten Muster seines 1-Gbit Synchronen DRAMs (SDRAM) mit Double-Data-Rate-Funktionalität an Schlüsselkunden geliefert. Die Bausteine wurden mit Infineons 110-nm-CMOS-Prozess hergestellt und weisen eine Chipfläche von nur 160 Quadratmillimeter auf. Damit sind die kleinsten 1-Gbit-DDR-SDRAMs auf dem Markt.

Die neuen 1-Gbit-Speicherchips werden wahlweise in einem 66-poligen TSOP (Thin Small Outline Package) von 400 mil Breite oder in einem besonders platzsparenden 68-poligen FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array) angeboten. Die Bausteine sind x4, x8 oder x16 organisiert. Die Double-Data-Rate-Geschwindigkeit reicht von DDR266 bis hin zu DDR400, wobei der Speichertakt bei 133 MHz bis hin zu 200 MHz liegt.

Um die höchstmögliche Speicherdichte pro Modul zu erzielen, verwendet Infineon eine Stack-Version des FBGA-Gehäuses für das Registered-DIMM von vier GByte. Bei der „Dual Die Stack“ genannten Technologie befinden sich zwei DRAM-Chips übereinander im selben Gehäuse, das dadurch geringfügig dicker ist als ein normales FBGA. Durch diese innovative Stacking-Technologie lassen sich bisher nicht erreichte Speicherdichten pro Board-Fläche erzielen. Darüber hinaus weisen die Dual-Die-Stack-Gehäuse im Vergleich zu bisher üblichen Stacking-Technologien stark verbesserte elektrische und thermische Kennwerte auf. Alternativ wird es das 4-Gbyte Registered-DIMM auch auf Basis der gestapelten TSOP-Gehäuse geben.

Das 1-Gbit-DDR-SDRAM wird hauptsächlich für die Herstellung von DRAM-Modulen für den Markt der High-End-Server und -Workstations verwendet werden. Die wesentlichen Produkte werden hier die Registered-DIMMs (Dual-Inline Memory Modules) mit vier GByte und zwei GByte Speicherausbau sein, sowie die ungepufferten 2-Gbyte-DIMMs. SO-DIMMs (Small-Outline-DIMMs) für Notebook-Computer werden in den Ausbaustufen zwei GByte und ein GByte mit den DRAMs der neuen Generation angeboten werden. Alle Module sollen im Verlauf des 4. Quartals 2003 bemustert werden und Anfang 2004 bei Infineon in Produktion gehen.

Anfangs wird das neue 1-Gbit-DDR-SDRAM in Infineons Halbleiterwerk in Dresden gefertigt. Allgemeine Muster werden im vierten Quartal 2003 verfügbar sein.

Themenseiten: Hardware

Fanden Sie diesen Artikel nützlich?
Content Loading ...
Whitepaper

ZDNet für mobile Geräte
ZDNet-App für Android herunterladen Lesen Sie ZDNet-Artikel in Google Currents ZDNet-App für iOS

Artikel empfehlen:

Neueste Kommentare 

Noch keine Kommentare zu Infineon bemustert die weltweit kleinsten 1-GBit-DDR-SDRAMs

Kommentar hinzufügen

Schreibe einen Kommentar

Deine E-Mail-Adresse wird nicht veröffentlicht. Erforderliche Felder sind markiert *