Infineon meldet Chip-Weltrekord

Bestwerte für Hochfrequenzschaltungen: ICs aus Silizium-Germanium arbeiten mit bis zu 110 GHz

Infineon vermeldet aus seinem Münchner Forschungslabor neue Bestwerte für Höchstfrequenz-ICs. Aufgestellt seien die neuen Geschwindigkeits-Weltrekorde mit einer hoch entwickelten bipolaren Silizium-Germanium-(Sige) Prozesstechnologie worden. Die gemessenen Leistungsdaten liegen angeblich zehn bis 30 Prozent über den Betriebsfrequenzen von Schaltungen anderer Hersteller. Damit seien neue Anwendungsfelder im Bereich der Hochfrequenz-Produkte und Breitband-Kommunikationssysteme für Sige zugänglich.

Zu den Bauelementen und Produkten, die von diesen Forschungsergebnissen profitieren, gehören neben diskreten Bauelementen (wie etwa Transistoren und Dioden) auch extrem verlustleistungsarme, drahtgebundene Datenübertragungssysteme für Datenraten bei 40 Gbit/s und darüber. Darüber hinaus Mikrowellen-Richtfunkstrecken, ultra-breitbandige, drahtlose Kommunikationssysteme bis zu 60 GHz sowie 77-GHz-Radarsysteme für Kfz-Anwendungen.

Mit seiner „SiGe:C“-Bipolartechnologie erreichte Infineon nach eigenen Angaben eine Grenzfrequenz fT von mehr als 200 GHz und eine Ringoszillator-Gatterlaufzeit von 3,7 ps (Pikosekunden, 10-12 Sekunden). Auf der Basis dieses Prozesses sei den Forschern die Herstellung verschiedener integrierter Schaltungen für Breitbandkommunikationssysteme gelungen, die jeweils neue Geschwindigkeits-Weltrekorde darstellen. Zu den demonstrierten Schaltungen gehören ein dynamischer Frequenzteiler für mehr als 110 GHz Betriebsfrequenz, ein statischer Frequenzteiler für bis zu 86 GHz und ein spannungsgesteuerter Oszillator (VCO) bei 95 GHz.

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