CellularRAM mit 32 MBit in Kürze verfügbar

CellularRAM-Musterbausteine mit 32 Megabit sind in Kürze verfügbar. Dies hat das gemeinsame Entwicklungs-Team von Cypress Semiconductor Corporation, Infineon und Micron Techology angekündigt. Es seien Versionen für den asynchronen als auch Burst-Mode verfügbar.

Im vergangenen Jahr hatten die drei Unternehmen die gemeinsame Entwicklung der Spezifikation von CellularRAM für mehrere Produktgenerationen vereinbart. Bei diesen Bausteinen handelt es sich um so genannte Pseudo-SRAMs (PSRAMs) mit sehr geringer Leistungsaufnahme. Ausgelegt sind sie für Speicher- und Bandbreiten-Anforderungen in zukünftigen 2.5G- und 3G-Mobiltelefonen. Ihr Vorteil liegt unter anderem in einer geringeren Kosten/Bit-Rate als herkömmliche Lösungen.

Integriert in die Speicherelemente sind verschiedene Stromsparfunktionen. Mit identischer Spannungsversorgung, Gehäuse und Anschlußbelegung sollen sie kompatibel zu Low-Power-SRAMs sein, die bisher in Mobiltelefon-Designs eingesetzt wurden. Dadurch soll ein einfacher Übergang von SRAM- zu CellularRAM-Produkten ermöglicht werden.

Neben den 32-MBit-Komponenten seien auch Versionen mit 16 und 64 MBit Speicherkapazität geplant, so die drei Firmen. Micron bemustert derzeit die 32-MBit- und 64-MBit-Speicher und plane die Volumenfertigung im dritten Quartal 2003. Von Infineon sind ebenfalls Muster mit 32 MBit und 16 MBit verfügbar, die Volumenfertigung ist auch für das dritte Quartal 2003 vorgesehen. Cypress will erste Muster ab der ersten Jahreshälfte 2004 liefern.

Die beteiligten Unternehmen arbeiten nach eigenen Angaben bereits an der Definition der nächsten Generation der CellularRAM-Produktfamilie: Einem 128-MBit-Baustein, der für die zweite Jahreshälfte 2004 geplant ist.