Infineon produziert den weltweit kleinsten 256 MBit DRAM-Speicherchip

Kombination aus 0,11 Mikron-Fertigungstechnik und proprietärem "Trench Cell"-Verfahren

Infineon (Börse Frankfurt: IFX) hat die Produktion des weltweit kleinsten 256 MBit DRAM-Speicherchips mitgeteilt. Er sei in einer 110 nm (Nanometer)-Technologie gefertigt worden, mit der 50 Prozent mehr Speicherbausteine auf gleicher Fläche Platz finden als bisher. Die Module werden auf Silizum-Scheiben mit 200 oder 300 Millimeter Durchmesser gewonnen.

Vorstand und Cheftechnologe Andreas von Zitzewitz erklärte: „Unsere neuste Version eines 256 MBit DRAMs ist die kleinste ihrer Art in der Industrie. Das haben wir ereicht, indem wir die 0,11 Mikron-Fertigungstechnik mit unserem proprietären „Trench Cell“-Verfahren kombiniert haben. Diese ermöglicht um ungefähr zehn Prozent kleinere Chipgrößen als vergleichbare Techniken.“

Entwickelt wurde die Technologie im sächsischen Silicon Valley, sprich im Dresdner 200 nm Wafer-Werk. Dort wie auch in anderen Fertigungsstätten wie Richmond, Virginia, soll der Baustein in Serienproduktion gehen, erklärte Infineon-Sprecher Ralph Heinrich auf Nachfrage.

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