Samsung nimmt Serienfertigung der DDR2-DIMMs auf

1 GByte-Bausteine erreichen die doppelte externe Bandbreite gegenüber herkömmlichen DDR-Speichern

Samsung Electronics hat die Serienfertigung der weltweit ersten 1-GByte-DDR2-Dual-in-Line-Memory-Module (DIMMs) aufgenommen, die auf DDR2-Komponenten mit einer Speicherkapazität von jeweils 512 MBit basieren. Mit ihrem 4 Bit-Prefetch erreichen die DDR2-Speicher gegenüber den herkömmlichen DDR-Speichern bei gleicher interner Taktfrequenz die doppelte externe Bandbreite.

Der 1,8-V-Baustein zeichnet sich durch eine Datenübertragungsrate von 533 MBit/s aus, die sich für den Einsatz in Netzwerken und speziellen Systemumgebungen auf 667 MBit/s erhöhen lässt, so Samsung. Das Unternehmen hat seit Mai Muster der zum JEDEC-Standard (Joint Electronic Device Engineering Council) kompatiblen 512-MBit-DDR2-SDRAMs an Hersteller von Chipsets ausgeliefert. Die SDRAMs entsprechen den JEDEC-Spezifikationen des DDR2-Standards. Zu den Kernfunktionen gehören: Off-Chip-Driver Calibration (OCD), On-Die-Termination (ODT), und die Befehlssteuermethode „posted CAS“.

Die Hauptvorteile von DDR2 bestehen in einer höheren Fertigungsdichte, einer verbesserten Signalqualität (On-Die-Termination) und einer reduzierten Leistungsaufnahme. Durch die Absenkung der Kernspannung von derzeit 2,5 Volt respektive 2,6 Volt für DDR400 auf 1,8 Volt ist DDR2 auch für Notebooks gut geeignet. Damit kommt DDR2 in allen Bereichen (Desktop, Mobil, Server) zum Einsatz.

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