Cellular RAM: Cypress ist mit im Boot

Gemeinsames Abkommen mit Infineon und Micron zur Entwicklung von UMTS-Arbeitsspeichern

Cypress Semiconductor hat sich einer bestehenden Allianz von Infineon Technologies (Börse Frankfurt: IFX) und Micron Technology angeschlossen, um bei der Entwicklung von Spezifikationen für Cellular RAM-Speicher zusammenzuarbeiten. Bei diesen Speicherbausteinen handelt es sich wie berichtet um Pseudo Static-RAMs (PSRAM) mit sehr geringer Leistungsaufnahme für Mobilfunk-Applikationen.

Das Cellular-RAM ist speziell für die wachsenden Anforderungen an höhere Speicherkapazität und Bandbreite zukünftiger 2.5G (GPRS)- sowie 3G (UMTS)-Mobiltelefone ausgelegt. Dieser neue Typ eines Pseudo-SRAMs sei anschlusskompatibel zu SRAMs, erlaube den Betrieb ohne externen Refresh und habe eine geringe Leistungsaufnahme. Damit eigne sich Cellular RAM als Ersatz von asynchronen SRAMs, wie sie in aktuellen Mobiltelefonen eingesetzt werden, warb Cypress Semicoductur. Cellular RAM biete Entwicklern von Mobiltelefonen alle Vorteile einer DRAM-Zelle wie höhere Kosteneffizienz, Speicherdichte und niedrigere Leistungsaufnahme, in Verbindung mit einer standardmäßigen SRAM-Schnittstelle, warb der Cypress-Manager Mario Martinez.

Das Cellular RAM basiert auf einer DRAM-Speicherzelle mit einem Transistor. Die neuen Produkte arbeiten mit Taktraten bis zu 108 MHz, haben eine Latenzzeit von 60 Nanosekunden und bieten eine Bandbreite von 216 MBit/s (1,6 GBit/s). Zudem unterstützen Cellular RAM Intel W18- und Micron-Flash kompatible Burst-Protokolle mit verschiedenen I/O Spannungsoptionen.

Infineon und Micron planen für die kommenden zwölf Monate verschiedene Bausteine zu veröffentlichen: Als erster soll noch dieses Jahr ein 32 MBit-Speicher in der Organisation 2 M x 16 verfügbar sein. Eine 16 MBit- und eine 64 MBit-Version, organisiert zu 1 M x 16 beziehzungsweise 4 M x 16, werden voraussichtlich Anfang 2003 folgen. Die drei Unternehmen arbeiten nun an der Definition der nächsten Generation der Cellular RAM-Produktfamilie, einem 128 MBit-Baustein. Erste Muster dieses Speichers sind für die zweite Hälfte 2003 geplant.

Kontakt: Infineon Technologies, Tel.: 01802/000404 (günstigsten Tarif anzeigen)

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