Auch NEC und Toshiba bauen MRAM

Nach IBM (Börse Frankfurt: IBM), Infineon Technologies (Börse Frankfurt: IFX) und anderen wollen nun auch NEC und Toshiba Magnetic Random Access Memory (MRAM)-Bausteine bauen. Dafür soll noch dieses Jahr ein gemeinschaftlich geführtes Produktionswerk in Sagamihara bei Tokio errichtet werden. Insgesamt wollen beide Konzerne rund 80 Millionen Euro in die neue Speichertechnik investieren.

MRAM nutzt magnetische statt elektronischer Ladungselemente für die Speicherung der Datenbits. Nach dem Abschalten der Versorgungsspannung sollen alle Daten erhalten bleiben, womit das erneute Hochfahren überflüssig würde. „MRAM hat das Potential, alle bisherigen RAM-Technologien in künftigen Computer-Generationen zu ersetzen“, hatte der IBM-Manager Bijan Davari bereits vor zwei Jahren erklärt.

IBM Research arbeitet nach seinen Angaben seit 1974 an der Entwicklung von miniaturisierten Komponenten auf Basis der magnetischen Tunnel-Effekt-Technologie. 1998 sei der erste funktionierende MRAM-Chip hergestellt worden. Erste MRAM-Produkte sollen ab 2004 kommerziell verfügbar sein.

Nach Aussagen eines Forscherteams der Universität Kaiserslautern um den Physik-Professor Burkard Hillebrands verlieren MRAMs ihren Speicherinhalt nicht, wenn sie nicht mit Strom versorgt werden. Dadurch entfalle beim Einsatz dieser Bausteine das „Booten“ von Rechnern. Sparen könnte man sich auch die energieaufwendigen Auffrisch-Zyklen: Silizium-Chips brauchen nämlich etwa jede Zehntelsekunde einen kleinen Spannungsstoß, damit sie die gespeicherten Informationen nicht vergessen. Dieser „Refresh“ macht beispielsweise in Notebooks den Einsatz großer und schwerer Akkus erforderlich.

Für die beiden japanischen Konzerne NEC und Toshiba ist es übrigens das erste Mal, dass sie sich auf eine Kooperation einlassen.