IBM hat Double Gate-Prozessor entwickelt

TEchniker berichtet von erstem "Fin-Fet"-Prototypen

Die IBM Labs melden einen ersten Prototypen eines Double Gate-Prozessors. Es handle sich um einen RAM-Baustein mit so genannten „Fin-Fet“-Transistoren. „Bislang tauchen Fin-Fets noch nicht Mal auf unserer Roadmap auf“, erläuterte der Entwickler Jeff Welser von IBM Microelectronics. „Aber jetzt haben wir gezeigt, dass das Ganze Sinn macht.“

Der Double-Gate-Transistor bietet – wie der Name schon sagt – zwei Gates, mit denen die doppelte Menge an Arbeit verrichtet werden könne. Basis sei die Silicon-On-Insulator (SOI)-Technologie, die erst die Umstellung der CPU-Fertigung auf CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductors) ermöglicht habe. „Das Problem mit dem Double-Gate-Transistor besteht darin, herauszubekommen, wie man ihn fertigen kann“, erläuterte Welser weiter.

Die Zeit drängt: Noch diese Woche will Konkurrent Intel seine Nanotechnologie-Pläne auf dem Intel Developer Forum (IDF) präsentieren. Kommende Generationen von Pentiums sollen Elemente beherbergen, die es noch nicht einmal auf 100 Nanometer bringen sollen. Intel wird voraussichtlich zwei neue Ideen vorstellen: Multigate-Transistoren und Nano-Leiter aus Kohlenstoff.

Kontakt: IBM, Tel.: 01803/313233 (günstigsten Tarif anzeigen)

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