Infineon und Micron entwickeln Cellular RAM

Speicherbausteine für GPRS und UMTS basieren auf einer DRAM-Speicherzelle mit einem Transistor

Infineon Technologies (Börse Frankfurt: IFX) und Micron Technology wollen gemeinsam eine neue Speicherfamilie namens Cellular RAM entwickeln. Bei diesen Bausteinen handele es sich um Pseudo Static-RAMs (PSRAM) mit geringer Leistungsaufnahme für Mobilfunk-Applikationen. Die Firmen planen, die Chips unabhängig voneinander in den Markt einzuführen.

Der neue Typus eines Pseudo SRAM-Bausteines sei speziell für die Anforderungen an Speicherkapazität und Bandbreite in Mobiltelefonen der 2.5G (GPRS)- und 3G (UMTS)-Generation ausgelegt und biete ein besseres Kosten/Bit-Verhältnis im Vergleich zu existierenden Lösungen. Das Cellular RAM sei anschlusskompatibel zu SRAMs, erlaube den Betrieb ohne Refresh und biete eine geringe Leistungsaufnahme.

Das Cellular RAM basiere auf einer DRAM-Speicherzelle mit einem Transistor im Gegensatz zu der sonst üblichen SRAM-Zelle mit sechs Transistoren. Damit profitiere das Cellular RAM von den Technologie- und Prozess-Vorteilen der DRAM-Speicher. Die Speicherzelle mit DRAM-Architektur benötigt laut Infineon nur etwa ein Zehntel der Fläche einer entsprechenden 6-Transistor SRAM-Zelle.

Die Cellular RAM-Familie enthalte Komponenten mit SRAM-Interface statt herkömmlicher SRAM-Speicher und einen Burst-Schreib/Lese-Modus, der ein Flash-Interface nachbilde. Die neuen Speicher arbeiten angeblich mit bis zu 108 MHz, haben eine Latenzzeit von 60 ns und bieten eine Bandbreite von 210 MBit/s.

Infineon und Micron wollen nach eigener Auskunft im Laufe der nächsten zwölf Monate verschiedene Cellular RAM-Bausteine einführen. Als erster Baustein werde ein 32 MBit-Speicher in der Organisation 2 M x 16 ab Ende 2002 verfügbar sein. Eine 16 MBit- und eine 64 MBit-Version, organisiert zu 1 M x 16 beziehungsweise 4 M x 16, seien für die erste Hälfte 2003 geplant. Die Cellular RAMs arbeiten mit einer 1,8-V-Versorgung und unterstützen 2,5-V- und 3,0-V-I/Os.

„Nach der Markteinführung des Mobile-RAM und der NROM-basierten NAND-Flash-Technologie ist Cellular RAM ein weiterer wichtiger Meilenstein bei der Bereitstellung eines kompletten Speicher-Portfolios für drahtlose Applikationen“, zeigte sich Ernst Strasser, Marketingleiter für Graphics- und Speciality-DRAMs von Infineon, überzeugt. „Diese Vereinbarung ist der neueste Schritt in einer Reihe von Kooperationen zwischen Infineon und Micron.“

Kontakt: Infineon Technologies, Tel.: 01802/000404 (günstigsten Tarif anzeigen)

Themenseiten: Hardware

Fanden Sie diesen Artikel nützlich?
Content Loading ...
Whitepaper

ZDNet für mobile Geräte
ZDNet-App für Android herunterladen Lesen Sie ZDNet-Artikel in Google Currents ZDNet-App für iOS

Artikel empfehlen:

Neueste Kommentare 

Noch keine Kommentare zu Infineon und Micron entwickeln Cellular RAM

Kommentar hinzufügen

Schreibe einen Kommentar

Deine E-Mail-Adresse wird nicht veröffentlicht. Erforderliche Felder sind markiert *