Infineon und Nanya bilden Joint-venture

Entwicklungskosten für neue Fertigungstechnologien sollen geteilt werden

Infineon (Börse Frankfurt: IFX) und Nanya Technology (NTC) aus Taiwan haben ein unverbindliches Memorandum of Understanding (MoU) über eine Zusammenarbeit bei Standard-Speicherchips (DRAMs) unterzeichnet. Im Rahmen des Abkommens werden die beiden Halbleiterhersteller ab Oktober 2002 die 0,09-µm- und 0,07-µm-Fertigungstechnologien für 300-Millimeter-Wafer gemeinsam entwickeln und damit die Fertigungskosten teilen.

Die Unternehmen haben zudem vereinbart, ein 50:50-Joint-venture für die Fertigung von DRAM-Chips zu gründen und ein neues gemeinsames 300-Millimeter-Werk in Taiwan zu bauen.

In der ersten Ausbaustufe soll die Fertigung im zweiten Halbjahr 2004 eine Kapazität von monatlich rund 20.000 Waferstarts erzielen, wobei die Produktion der ersten 300-Millimeter-Wafer für Ende 2003 vorgesehen ist. Sitz des Joint-ventures wird Taoyuen / Taiwan in der Nähe des jetzigen Werks von Nanya sein. Die Transaktion bedarf noch der Zustimmung durch die Kartellbehörden.

Die Aktie von Infineon konnte den Handel am Donnerstag gut behauptet beginnen: Der Kurs stieg in den ersten Handelsminuten um rund zwei Prozent auf 20,54 Euro.

Kontakt: Infineon Technologies, Tel.: 01802/000404 (günstigsten Tarif anzeigen)

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