512 MBit-Speicher für PDAs, Handys und Webtablets präsentiert

Samsung zeigt in 0,15 Mikron gefertigten SDRAM / Chip soll im Betrieb nur 2,5 Volt verbrauchen / Erste Muster sind in der Auslieferung

Die Halbleitersparte von Samsung hat nach eigenen Angaben einen stromsparenden Arbeitsspeicher für mobile Geräte wie Handys, PDAs, Digicams oder Webtablets vorgestellt. Der DRAM-Baustein soll 512 MBit fassen und in 0,15 Mikron-Technologie gefertigt sein. Den Worten des Koreaners zufolge benötigt der Chip im Betrieb nur 2,5 Volt. Im Standby-Betrieb verbrauche der Halbleiter nur halb so viel Strom wie seine konventionellen SDRAM-Kollegen, so Samsung.

Um diese Werte zu erreichen, setzt der Hersteller nach eigenen Aussagen die Technologie „Temperature Compensated Self-Refresh“ (TCSR) ein. Das Verfahren soll die Refresh-Geschwindigkeit des Speichers auf die Gerätetemperatur optimieren. Die „Partial Array Self Refresh“ (PASR)-Technik sorge zusätzlich dafür, dass nur dort neue Daten in den Speicher geschrieben werden, wo die Speicherbänke Informationen enthalten.

Muster im BGA-Chipgehäuse seien bereits in der Auslieferung. So gebe es die Exemplare mit 16 Bit-Bus im 54-Ball BGA-Paket oder mit einem 32 Bit-Bus im 90 Ball BGA-Package. Stromsparende SDRAMs mit 64, 128 oder 256 MBit liefert der Hersteller seit Jahresanfang aus. Einen Preis für den 512 MBit-Halbleiter nannte Samsung jedoch nicht.

Kontakt: Samsung, Tel.: 01805/121213 (günstigsten Tarif anzeigen)

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