Winbond stellt 512 MByte DDR-Chip vor

Speicher soll in 0,13 Mirkon-Verfahren hergestellt werden / Halbleiter kommt im zweiten Quartal 2002

Winbond Electronics hat einen 512 MByte DDR-Speicherchip vorgestellt. Der zusammen mit Toshiba entwickelte Halbleiter wird laut dem Hersteller in 0,13-Miron-Verfahren hergestellt.

Winbond hofft nach eigenen Angaben im DDR-Segment des Speichergeschäfts im kommenden Jahr Marktführer zu werden. „Das 0,13 Mikron-Herstellungsverfahren ist Teil von Winbonds Strategie wie unter anderem auch die aggressive Produktneuvorstellung bei Flash- und Pseudo-SDRAMs“, hieß es in einer Stellungnahme des Unternehmens.

Der DDR-DRAM-Chip soll durch das neue Verfahren die Produktionskosten senken und dabei dennoch einen höheren Bustakt erlauben. Der Halbleiter wird laut Winbond in den Massenmarkt im zweiten Quartal 2002 starten.

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