Samsung entwickelt 300 MHz DDR SDRAM-Modul

Speicher arbeitet mit 2,5 Volt / Die Massenproduktion soll im dritten Quartal des Jahres anlaufen

Samsung Electronics hat nach eigenen Angaben als erster Hersteller ein 64 MByte (zwei x 32 MByte) Double Data Rate Synchronous-DRAM (DDR SDRAM)-Modul entwickelt, das mit 300 MHz betrieben werden kann. Bei dem Chip kommt Samsungs Fine-Pitch Ball Grid Array (FBGA)-Technologie zum Einsatz. Durch das spezielle Verfahren soll der Speicher mit nur 2,5 Volt verwendet werden können. Es ist geplant, den Chip hautpsächlich bei Grafikkarten einzusetzen. Er soll dort für einen sehr schnellen Bildaufbau sorgen.

Durch eine neuartige Architektur des Speicherbausteins wird nach Herstellerangaben eine Datentransferrate von bis zu 2,4 GByte pro Sekunde erreicht. Damit besitzt das RAM-Modul angeblich den höchsten Datendurchsatz unter allen verfügbaren Geräten seiner Klasse. Die Massenproduktion läuft laut Samsung im dritten Quartal des Jahres an.

Double Data Rate Synchronous-DRAMs arbeiten mit doppelt so hoher Geschwindigkeit wie herkömmliche SDRAMs. Momentan werden DDR-Chips hauptsächlich in Grafikboards verbaut. Nach Samsungs Einschätzung sollen die schnelleren Speicherchips jedoch bald auch vermehrt in Servern, Workstations und anderen Rechnern eingesetzt werden.

Kontakt: Samsung, Tel.: 01805/121213 (günstigsten Tarif anzeigen)

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