Samsung entwickelt vier GByte DRAM-Modul

0,10 Mikron-Chiparchitektur könnte derzeitige Produktionskosten bei großen Speicher-Modulen um mehr als 60 Prozent senken / Neuer Arbeitsspeicher soll in Hochleistungsservern eingesetzt werden

Samsung Electronics hat die erfolgreiche Entwicklung eines vier GByte Dynamic Random Access Memory (DRAM)-Chips auf der International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) in San Francisco mitgeteilt. Damit ist der Hersteller nach eigenen Angaben der erste in der Welt, der Speichermodule mit einer solchen Kapazität fertigen kann.

Das vier GByte DRAM-Modul soll ein Volumen von 4,29 Milliarden Bits besitzen. Ein einzelner Chip könne aufgrund seiner Kapazität, so Samsung, Daten von umgerechnet 32.000 herkömmlichen Zeitungsseiten, 1600 Fotos oder 64 Stunden Musik speichern.

Das Einsatzgebiet des neuen Bausteins sieht der Hersteller hauptsächlich als Hauptspeicher für Hochleistungs-Server.

Möglich sind solche Speicherkapazitäten durch ein 0,10 Mikron-Design. Damit sind die Stromkreise gerade mal ein Tausendstel so dick wie ein menschliches Haar.

Würde man die neu entwickelte 0,10 Mikron-Chiparchitektur auf die derzeitigen 256 und 128 MByte DRAM-Chips anwenden, könnten die Produktionskosten um mindestens 60 Prozent gesenkt werden, meinte Samsung.

Samsung setzte für das Modul diverse neue Halbleitertechnologien ein und senkte die Betriebsspannung auf 1,8 Volt ab. Damit will der Hersteller auf die Nachfrage nach stromsparenden Chips reagieren und eine weiterentwickelbare Prozessortechnologie ermöglichen.

Samsung wählte eine 16 Bit Daten input/output-Struktur und integrierte das Design von Double Data Rate (DDR)- und Single Data Rate (SDR)-Chips.

Kontakt: Samsung, Tel.: 01805/121213

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