Samsung entwickelt preisgünstige Rambus DRAMs

Neuer Speicher soll über 20 Prozent günstiger sein / Billiger RDRAM kommt in zweiter Jahreshälfte auf den US-Markt

Die Rambus Dynamic Random Access Memory-Technik (RDRAM) hat als die nächste Speichergeneration eine Menge Aufmerksamkeit auf sich gezogen. Der hohe Preis hat jedoch den weitverbreiteten Einsatz erschwert. Samsung Electronics will jetzt einen Weg gefunden haben, viel preisgünstiger Rambus DRAM entwickeln zu können.

Samsungs Speicherinnovation besitzt eine 4-Bank-Konfiguration anstatt einer herkömmlichen 32 Bank-Rambus-DRAM-Technik. Die vereinfachte Architektur wird auch bei Synchron Dynamic Random Access Memory Chipsätzen (SDRAM) eingesetzt.

Auch das Schaltkreis-Layout will der koreanische Hersteller optimiert haben. Indem man mit 0,17-Micron-Design arbeitet, soll auch die Chipsatzgröße von Samsungs Rambus um mindestens fünf Prozent kleiner sein als normale RDRAMs.

Durch diese Modifikationen sei es möglich, so Samsung, die Produktionskosten um mindestens 20 Prozent zu senken. Die derzeit hergestellten RDRAMs des Herstellers sollen normale SDRAM-Module an Leistung übertreffen und im Preis etwa gleich liegen. Derzeit liegt der Preis für Rambus DRAM noch doppelt bis dreimal so hoch wie für normale SDRAMs. Samsung plant seinen neuen Speicher für den mittleren bis Low-End PC-Markt anzubieten.

Samsung will offiziell mit der Massenproduktion des neuen Speichers in der zweiten Hälfte des Jahres beginnen. Mikroprozessor-Hersteller Intel (Börse Frankfurt: INL) soll bereits an der nächsten Prozessor- und Chipsatz-Generation arbeiten, die diesen neuen RDRAM-Typ unterstützt. Beobachter der Industrie meinen, der kostengünstigere Speicher werde ab der zweiten Hälfte des Jahres in den amerikanischen PCs verbaut.

Wann die neue Speichertechnologie auch in Deutschland verfügbar sein wird, war bisher noch nicht in Erfahrung zu bringen. Für dieses Jahr soll der Rambus DRAM-Markt ein Volumen zwischen 250 und 300 Millionen Chips haben.

Kontakt: Samsung, Tel.: 01805/121213

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