Infineon meldet technologischen Durchbruch

Neuer Fotolithographie-Prozeß ermöglicht Kontaktlöcher mit 30 Nanometern Durchmesser

Forscher bei Infineon Technologies (zuvor Siemens Halbleiter) in Erlangen und Dresden haben eine neue „Deep-UV-Foto-Resist-Technik“ für die Halbleiterfertigung entwickelt. Mit diesem Prozeß wurden jetzt weltweit kleinste Kontaktloch-Strukturen von nur 30 Nanometern Durchmesser erzeugt – 1500 mal feiner als ein menschliches Haar. Und zwar mit konventioneller optischer Lithographie, einer Technologie, die nach bisheriger Meinung schon bei 70 Nanometer-Strukturen an die Grenzen der Auflösung stößt.

Der von Infineon Technologies entwickelte „CARL-Prozeß“ (Chemisches Aufweiten von Resist-Linien) umgeht dieses Problem mit einem Trick. Durch eine einfache chemische Nachbehandlung werden Löcher, die auf konventionelle Weise in eine dünne Foto-Resist-Schicht belichtet wurden, gezielt von 140 Nanometer Durchmesser auf 30 Nanometer verkleinert.

Mit diesem neuen Verfahren sei es jetzt sogar möglich gewesen, diese kleinen Löcher in eine 633 Nanometer dicke Siliziumoxidschicht zu übertragen, wie sie in der Herstellung von Silizium-Chips verwendet wird, berichtet Infineon.

Kontakt: Infineon Technologies, Tel.: 089/23422767

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